-
1 профиль распределения примеси при ионной имплантации
Electronics: ion-implantation profileУниверсальный русско-английский словарь > профиль распределения примеси при ионной имплантации
-
2 профиль распределения примеси при ионной имплантации
nmicroel. (легирующей) ImplantationsprofilУниверсальный русско-немецкий словарь > профиль распределения примеси при ионной имплантации
-
3 профиль распределения примеси при ионной имплантации
Русско-английский словарь по микроэлектронике > профиль распределения примеси при ионной имплантации
-
4 ion-implantation profile
English-Russian dictionary of microelectronics > ion-implantation profile
-
5 ion-implantation profile
English-Russian big polytechnic dictionary > ion-implantation profile
-
6 ion-implantation profile
Электроника: профиль распределения примеси при ионной имплантацииУниверсальный англо-русский словарь > ion-implantation profile
-
7 Implantationsprofil
-
8 Implantationsprofil
сущ.микроэл. профиль распределения (легирующей) примеси при ионной имплантации, профиль распределения внедрённых ионов
См. также в других словарях:
Полупроводниковые материалы — Для улучшения этой статьи желательно?: Викифицировать статью. Полупроводниковые материалы вещества с чётко в … Википедия
Планарная технология — совокупность технологических операций, используемая при изготовлении планарных (плоских, поверхностных) полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Содержание 1 Принципы технологии 2 Основные технолог … Википедия
ЛАЗЕРНЫЙ ОТЖИГ — в узком, первонач. смысле восстановление под действием лазерного излучения кристаллич. структуры приповерхностных слоев полупроводников, нарушенной ионной имплантацией; открыт в 1975 в СССР [1]. Под Л. о. в широком смысле понимают структурные… … Физическая энциклопедия
